В рамках Mobile Solutions Forum компания Samsung Electronics официально
анонсировала несколько своих достижений, ориентированных на рынок
мобильных устройств. В их число входит создание первого в индустрии
монолитного чипа памяти LPDDR3 (low power double-data-rate 3) на 4 Гбит и
разработка скоростной памяти стандарта e-MMC (embedded multimedia card)
с емкостью 64 ГБ.
Указанный 4 Гбит чип LPDDR3 DRAM изготовлен по технологическим нормам 30
нм класса, а его энергопотребление на 20 процентов ниже по сравнению с
предшественником. Кроме того, данная память способна обеспечить скорость
передачи информации до 1600 Мбит/с, что также быстрее решений
предыдущего поколения, а выпуск образцов нового чипа, который может
поставляться в стеках DRAM емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и 16 Гбит (2 ГБ)
должен стартовать в четвертом квартале.
Что касается 64 ГБ чипа
e-MMC NAND, при его производстве применяется технология 20 нм класса, а
сам он оснащен интерфейсом Toggle DDR 2.0, что обеспечивает
максимальную скорость последовательного чтения и записи данных на уровне
80 и 40 МБ/с соответственно. При этом толщина высокопроизводительного
решения с большой емкостью составляет всего 1,4 мм, что делает его
подходящим даже для очень тонких мобильных устройств.
Источник: TechConnect Magazine
|
Главная 
